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集成电路工艺(integrated circuit technique )是把电路所需要的晶体管、二极管、电阻器和电容器等元件用一定工艺方式制作在一小块硅片、玻璃或陶瓷衬底上，再用适当的工艺进行互连，然后封装在一个管壳内，使整个电路的体积大大缩小，引出线和焊接点的数目也大为减少。集成的设想出现在50年代末和60年代初，是采用硅平面技术和薄膜与厚膜技术来实现的。电子集成技术按工艺方法分为以硅平面工艺为基础的单片集成电路、以薄膜技术为基础的薄膜集成电路和以丝网印刷技术为基础的厚膜集成电路。
电阻排
一些精密排阻采用四位数字加一个字母的标示方法(或者只有四位数字)。位数字分别表示阻值的百位、十位、个位数字，第四位数字表示前面三个数字乘10的N次方，单位为欧姆;数字后面的个英文字母代表误差(G=2%、F=1%、D=0.25%、B=O.1%、A或W=0.05%、Q=0.02%、T=0.01%、V=0.005%)。如标示为“2341”的排阻的电阻为234&TImes;10=2340Ω。
电阻排
金属氧化膜电阻器是将锡等金属化合物加热氧化而成的，通称为“金属氧化物”。
金属线及金属带：电阻器采用锰(镍)铜和镍铬等合金线和带状线，主要作为绕线型使用。 材料自由度大， 由于机械的制约，不能使用过细的电阻线，电阻值的范围偏向O.lQ一数十kO。 与其他电阻器相比，金属线和金属带的截面积大，因此具有能够承受瞬时大电流的优点。
以上信息由专业从事250度高温贴片电阻排采购的北京启尔特于2025/4/27 15:56:39发布
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