晶振的负载电容
晶振有一个重要的参数，那就是负载电容值，选择与负载电容值相等的并联电容，就可以得到晶振标称的谐振频率。
一般的晶振振荡电路都是在一个反相放大器（注意是放大器不是反相器）的两端接入晶振，再有两个电容分别接到晶振的两端，每个电容的另一端再接到地，这两个电容串联的容量值就应该等于负载电容，请注意一般IC的引脚都有等效输入电容，这个不能忽略。
一般的晶振的负载电容为15p或12.5p ，如果再考虑元件引脚的等效输入电容，则两个22p的电容构成晶振的振荡电路就是比较好的选择。负载电容+等效输入电容=22pF。
晶体振荡器技术指标
（1）总频差：在规定的时间内，由于规定的工作和非工作参数全部组合而引起的晶体振荡器频率与给定标称频率的频差；
（2）频率温度稳定度：在标称电源和负载下，工作在规定温度范围内的不带隐含基准温度或带隐含基准温度的允许频偏；
（3）频率稳定预热时间：以晶体振荡器稳定输出频率为基准，从加电到输出频率小于规定频率允差所需要的时间；
（4）频率老化率：在恒定的环境条件下测量振荡器频率时，振荡器频率和时间之间的关系；
（5）频率压控范围：将频率控制电压从基准电压调到规定的终点电压，晶体振荡器频率的小峰值改变量；
（6）压控频率响应范围：当调制频率时，峰值频偏与调制频率之间的关系；
（7）频率压控线性：与理想（直线）函数相比的输出频率-输入控制电压传输特性的一种量度，它以百分数表示整个范围频偏的可容许非线性度；
（8）单边带相位噪声：偏离载波f处，一个相位调制边带的功率密度与载波功率之比。有的技术人员帮助您选型，欢迎您前来咨询！
晶体振荡器实际应用
晶体振荡器实际应用的环境需要慎重考虑。例如，高强度的振动或冲击会给振荡器带来问题。除了可能产生物理损坏，振动或冲击可在某些频率下引起错误的动作。这些外部感应的扰动会产生频率跳动、增加噪声份量以及间歇性振荡器失效。对于要求特殊EMI兼容的应用，EMI是另一个要优先考虑的问题。除了采用合适的PC母板布局技术，重要的是选择可提供辐射量小的时钟振荡器。一般来说，具有较慢上升/下降时间的振荡器呈现较好的EMI特性。我公司备有大量现货，有需要的客户，欢迎前来选择！
低噪声晶体振荡器对电子产品稳定度的影响
低噪声 晶振在精密电子仪器，无线电定位，高速目标跟踪和宇航通信等领域十分重要，假设有一个微处理器系统，其中处理器的时钟上升前需要1ns 的数据设置。如果时钟的周期抖动为-1.5ns，那么时钟的上升沿可能发生在有效期之前。因此微处理器将显示不正确的数据；假设另一个微处理器系统的数据要求保持时间为 2ns，但是时钟抖动为±1.5ns，那么数据保持时间实际上减少到 0.5ns，因此微处理器也将显示不正确的数据。
以上信息由专业从事HCSL输出并联型晶体振荡器厂家的晶宇兴于2025/1/26 12:57:10发布
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