光刻的工序
下面我们来详细介绍一下光刻的工序:
一、清洗硅片(Wafer Clean)
清洗硅片的目的是去除污染物去除颗粒、减少其它缺陷,提高光刻胶黏附性
基本步骤:化学清洗——漂洗——烘干。
自1970年美国RCA实验室提出的浸泡式RCA化学清洗工艺得到了广泛应用,1978年RCA实验室又推出兆声清洗工艺,近几年来以RCA清洗理论为基础的各种清洗技术不断被开发出来,例如:美国FSI公司推出离心喷淋式化学清洗技术、美国原CFM公司推出的Full-Flow systems封闭式溢流型清洗技术、美国VERTEQ公司推出的介于浸泡与封闭式之间的化学清洗技术(例Goldfinger Mach2清洗系统)、美国SSEC公司的双面檫洗技术(例M3304 DSS清洗系统)、 日本提出无药液的电介离子水清洗技术(用电介超纯离子水清洗)使抛光片表面洁净技术达到了新的水平、以HF / O3为基础的硅片化学清洗技术。五、曝光在这一步中,将使用特定波长的光对覆盖衬底的光刻胶进行选择性地照射。
NR9-3000PYNR73G 6000P光刻胶公司光刻胶底膜处理:清洗:清洁干燥,使硅片与光刻胶良好的接触。烘干:去除衬底表面的水汽,使其彻底干燥,增粘处理(涂底): 涂上增加光刻胶与硅片表面附着能力的化合物,HMDS,光刻胶疏水,Sio2 空气中,Si-OH, 表面有,亲水性,使用HMDS (H2C)6Si2NH 涂覆,熏蒸 与 SI –OH结合形成Si-O-Si(CH2)2,与光刻胶相亲。超过80%市场份额掌握在日本住友、TOK、美国陶氏、美国futurrex等公司手中,国内公司中,苏州瑞红与北京科华实现了部分品种的国产化,但是整体技术水平较低,仅能进入8英寸集成电路生产线与LED等产线。
NR77-15000PYNR73G 6000P光刻胶公司NR73G 6000P光刻胶公司光刻胶稳定性
化学稳定性:在正常储存和操作条件下,在密闭容器中室温稳定。
避免的条件: 火源、湿气、过热的环境。
不相容的其他材料: 强氧化剂。
光刻胶毒理资料
淡黄色液体,气味微弱。引起皮肤、眼睛、粘膜和呼吸道的刺激。可以通过皮肤吸收而引起全身性的症状。液体是可燃的。
毒性数据
皮肤:可以通过皮肤吸收而引起全身性的症状,类似于吸入。长时间或重复接触可引起轻度至中度的刺激或皮炎。
眼睛:引起眼睛发炎。
吸入:吸入时可能有害。引起呼吸道刺激。蒸气可能导致困倦和头晕。
摄食:吞食有害。
延迟效应:肝和损害,以及动物实验中有报道血液和GU髓有影响。
以上信息由专业从事NR73G 6000P光刻胶公司的赛米莱德于2021/4/18 13:04:22发布
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