晶体谐振器与晶体振荡器的区别
1，晶体振荡器的厚度总是高于晶体谐振器。因为晶体振荡器内部直接置入起振芯片，无需外部元器件帮助起振，自身可以直接起振。
2，由于晶体振荡器可以依靠自身起振，因此在电子行业归类为主动元器件，而晶体谐振器需要依靠外部电容电阻起振，称之为被动元器件。
3，晶体振荡器种类复杂繁多，可分为以下几种：普通振荡器（SPXO）；温补振荡器（TCXO）；压控振荡器（VCXO），压控温补振荡器（VC-TCXO）；恒温振荡器（OCXO）。而晶体谐振器只有一种，就是自身。
4，晶体振荡器的精度高于晶体谐振器，因此两者论性能稳定度，莫属晶体振荡器出众。晶体振荡器中的温补振荡器较高精度可达到0.5ppm，晶体谐振器较高精度只能做到5ppm，且为DIP封装，SMD封装较高精度仅仅只有10PPM。
5，无疑，晶体振荡器的成本高于晶体谐振器。
其次，晶体与晶振弄混会导致哪些误会。从上文的分析中我们可以得出结论，被动与主动的焊接电路是完全不同的，因晶体振荡器无需外接电容，晶体谐振器需外接电容电阻，如若两者混淆采购，电路将无法正常起振。
晶体振荡器的特性
温度特性:指在其他条件不变的情况下，温度对其频率稳定度的影响
电压特性:指在其他条件不变的情况下，电压的变化(小幅度纹波)对其频率稳定度的影响
压控电压:有些晶振会有一个VC脚位，通过外加电压调节输出频率，一般牵引范围在PPM级别
杂散:指相噪曲线上的一些毛刺，源于放大器或者混频器的噪音
短期稳定性:理想的振荡器的输出电压为正弦曲线。实际的振荡器输出电压由于噪声的影响是偏移的正弦曲线的
晶体振荡器基本知识
1、概念：电路上为一个电容和一个电阻并联再串联一个电容的二端网络，有两个谐振点，较低的频率是串联谐振，较高的频率是并联谐振。
这两个频率接近，再很窄的频率范围内，晶振等效为一个电感，只要在晶振的两端并联上合适的电容就可以组成并联谐振电路。
2、选择与负载电容值相等的并联电容，就可以得到晶振标称的谐振频率；
3、分类：无源晶振（crystal,晶体）、有源晶振（oscillator，振荡器）；
4、振荡原理：压电效应；
5、压电谐振：当外加交变电压的频率与晶片的固有频率（决定于晶片的尺寸）相等时，机械振动的幅度急剧增加；
6、石英晶体振荡器是利用石英晶体的压电效应来起振，石英晶体谐振器是利用石英晶体和内置IC来共同作用工作的；
振荡器直接应用于电路中，谐振器的工作一般需要提供3.3V的电压来维持工作。
振荡器比谐振器多了一个重要的技术参数：谐振电阻（RR）；
7、Q值：衡量电感的主要参数，指电感器再某一频率的交流下工作时，所呈现的感抗与等效损耗电阻之比。
Q值越高，损耗越小，效率越高；
以上信息由专业从事CMOS输出压控晶体振荡器现货的晶宇兴于2024/5/9 8:41:17发布
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